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2320002_低轮廓电解铜箔制备工艺参数的优化

2023-11-15 151 13.42M

低轮廓电解铜箔制备工艺参数的优化

凌羽1, 2,张少强1, 2,卢伟伟1, 2, *,徐鹏2, 3,朱倩倩2, 3,胡浩2, 3,宋克兴2, 3,杨祥魁4,朱义刚4

1.河南科技大学化学化工学院,河南 洛阳 471023

2.河南省有色金属材料科学与加工技术重点实验室,河南 洛阳 471023

3.河南科技大学材料科学与工程学院,河南 洛阳 471023

4.山东金宝电子股份有限公司,山东 烟台 265400

摘要:采用直流电沉积法制备了低轮廓电解铜箔,在仅以明胶作为添加剂的情况下研究了钛基体(阴极)表面粗糙度、电流密度、硫酸质量浓度、铜离子质量浓度、电解液温度等工艺参数对铜箔表面形貌及粗糙度的影响。确定最佳的工艺条件为:钛基体表面粗糙度(Rz)1 ~ 2 μm,电流密度4.0 A/dm2,硫酸100 g/L,铜离子60 g/L,电解液温度37 °C。所得铜箔表面形貌良好,粗糙度(Rz)小于1.8 μm。

关键词:电解铜箔;直流电沉积;钛基体;电解液成分;温度;表面形貌;粗糙度


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